真空井式坩埚炉以进口含钼电阻丝或者硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和智能化程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,具有真空装置,该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
主要用途:高校、科研院所、工矿企**要用于煅烧真空或惰性气体中的高纯度化合物,退火或扩散半导体晶片,也可以用于烘烧或烧结陶瓷材料等。
详细参数
产品型号
XY-1200VC
工作电源
AC220V 50/60HZ
炉膛尺寸
外径205x内径190x高340mm
额定功率
≤3kw
外形尺寸
450x550x650mm
重量
70kg
升温快速度
0~30℃/min(建议不超过20℃)
产品特点
可装真空装置,能在多种气氛下工作,50段程序控温
加热元件
含钼电阻丝
常用温度
≤1100℃
温度
1200℃
控温方式
50段智能化程序PID模糊控制
恒温精度
±1℃
控温仪表
智能温控仪
密封方式
全封闭
炉膛
氧化铝多晶纤维炉膛,设计合理,经久耐用,保温性能好,节能
测温元件
K型热电偶
炉门结构
上开式
主要配件
密封法兰1套,坩埚1个,真空泵1台,高温手套1副,热电偶1根等
真空极限
-0.1MPa